车规级 35V 4A SiC 和 IGBT 8-引脚集成负压偏置驱动器
特性：
• 4A 峰值拉、灌电流
• 高达 35V VCC 宽范围供电
• 内部集成 3.5V 负压偏置
• 低侧栅极驱动，也适用于自举高侧栅极驱动
• 具有 UVLO 的正栅极驱动电压和负栅极驱动电压
• 退饱和短路保护，带内部消隐时间
• UVLO 或触发 DESAT 输出 /FAULT 故障报警
• 5V/10mA 供电输出，供如数字隔离器等
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• SOIC-8，带热焊盘，用于高频和高功率场合
• 内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型 45ns 延迟
• AEC-Q100 认证通过
应用场合
• EV 车载充电器
• EV/HEV 逆变及充电站
• AC/DC 及 DC/DC 变换器
• 电机驱动
• 4A 峰值拉、灌电流
• 高达 35V VCC 宽范围供电
• 内部集成 3.5V 负压偏置
• 低侧栅极驱动，也适用于自举高侧栅极驱动
• 具有 UVLO 的正栅极驱动电压和负栅极驱动电压
• 退饱和短路保护，带内部消隐时间
• UVLO 或触发 DESAT 输出 /FAULT 故障报警
• 5V/10mA 供电输出，供如数字隔离器等
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• SOIC-8，带热焊盘，用于高频和高功率场合
• 内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型 45ns 延迟
• AEC-Q100 认证通过
应用场合
• EV 车载充电器
• EV/HEV 逆变及充电站
• AC/DC 及 DC/DC 变换器
• 电机驱动
SiC MOSFET 和 IGBT。带有负压的驱动可以在 高 dv / dt 下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。 退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源 设备和系统元件损坏的风险。内置固定的 200ns 消隐时间，以防止因开关沿电流尖峰和噪声而过 早被触发过流保护。固定的正栅极驱动电压 UVLO 保护和固定的负偏置 UVLO 保护可确保可 靠的栅极工作电压。当发生 UVLO 或过电流时， 故障信号/FAULT 变低电平并向系统发出警报。 IVCR1402Q 带有热焊盘，并具有低传播延迟和 失配时间，可使 SiC MOSFET 能够以数百 kHz 的频率开关。集成的负压生成和 5V 参考输出可 最大程度地减少外部组件数量。它是工业界首款 采用 8 引脚封装上，集成负压驱动、退饱和及 UVLO 功能的 SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器。
规格书下载：
