35V 4A SiC 和 IGBT 8-引脚集成负压偏置驱动器
特性：
• 4A 峰值拉、灌电流
• 高达 35V VCC 宽范围供电
• 内部集成 3.5V 负压偏置
• 低侧栅极驱动，也适用于自举高侧栅极驱动
• 可调正栅极驱动电压 UVLO 和固定负栅极驱动电
压 UVLO
• 退饱和短路保护，带内部消隐时间
• UVLO 或 OCP /FAULT 故障报警输出
• 5V/10mA 供电输出，供如数字隔离器等
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• SOIC-8，带可选热焊盘，用于高频和高功率场合
• 内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型 45ns 延迟
应用场合
• EV 车载充电器
• EV/HEV 逆变及充电站
• PV 升压及逆变器
• UPS
• AC/DC 及 DC/DC 变换器
• 4A 峰值拉、灌电流
• 高达 35V VCC 宽范围供电
• 内部集成 3.5V 负压偏置
• 低侧栅极驱动，也适用于自举高侧栅极驱动
• 可调正栅极驱动电压 UVLO 和固定负栅极驱动电
压 UVLO
• 退饱和短路保护，带内部消隐时间
• UVLO 或 OCP /FAULT 故障报警输出
• 5V/10mA 供电输出，供如数字隔离器等
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• SOIC-8，带可选热焊盘，用于高频和高功率场合
• 内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型 45ns 延迟
应用场合
• EV 车载充电器
• EV/HEV 逆变及充电站
• PV 升压及逆变器
• UPS
• AC/DC 及 DC/DC 变换器
带有负压的驱动可以在高 dv / dt 下，提高抗米勒 效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的 短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风 险。内置固定的 200ns 消隐时间，以防止因开关 沿电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护。可调 节的正栅极驱动电压 UVLO 保护和固定的负偏置 UVLO 保护可确保可靠的栅极工作电压。当发生 UVLO 或过电流时，故障信号/FAULT 变低电平 并向系统发出警报。具有可选的热焊盘，低传播 延迟和失配的驱动，使 SiC MOSFET 能够以数 百 kHz 的频率开关。集成的负压生成和 5V 参考 输出可最大程度地减少外部组件数量。它是工业 界首款采用 8 引脚封装上，集成负压驱动、退饱 和及可调节 UVLO 的 SiC MOSFET 和 IGBT 驱 动器。
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