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QX3H4X

特性
电流转换比(CTR)范围: ≥20% (IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=3750 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度：-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX357X

特性
电流转换比(CTR)范围: 80%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=3750 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度：-55℃~+110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX816X

特性
电流转换比(CTR)范围: 200%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=5000 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度：-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX817X

特性
电流转换比(CTR)范围: 80%-600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=5000 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度：-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
晶体管输出光耦

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