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QX6N135 QX6N136
特性
高比特率:1MBit/s
输入-输出隔离电压 (VISO=5000 Vrms )
兼容 TTL
集电极开路输出
符合加强绝缘标准
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QXM720
特性
CMOS 可兼容:+3.3V 和 +5 V
脉冲宽度失真最大值:25ns
传播延迟最大值:55ns
传播延迟倾斜最大值:40ns
高速:15MBd (最小)
共模抑制最小值:10 kV/μs
温度范围:–40°C ~105°C
无故障上电功能
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QXH11LX
特性
高数据速率,典型频率为 2MHZ(NRZ)
在整个电压和温度范围内无闩锁和振荡
兼容微处理器的驱动器
输出在 0.4V 条件下的最大灌电流为:16mA
保证导通/关断阈值滞后
宽电源电压能力,兼容常见的逻辑电平
温度范围:–55°C ~100°C
紧凑型双列直插式封装
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QX075L
特性
高速响应 15 MBit/s
宽工作温度:-40℃~105℃
–40°C to 105°C
SOP8 封装
共模抑制能力至少达 10 kV/µs
无短时脉冲电源启动功能
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QX3H4X
特性
电流转换比(CTR)范围: ≥20% (IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=3750 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QX357X
特性
电流转换比(CTR)范围: 80%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=3750 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55℃~+110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QX816X
特性
电流转换比(CTR)范围: 200%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=5000 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
QX817X
特性
电流转换比(CTR)范围: 80%-600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
输入-输出隔离电压 (VISO=5000 Vrms )
集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
工作温度:-55℃~110℃
符合加强绝缘标准
符合安规标准:UL 1577,VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5),CQC11-471543-2022
高压光耦
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